-
Keramische reserveonderdelen voor halfgeleidermeetapparatuur
De keramische reserveonderdelen worden gevormd door koud isostatisch persen en gesinterd bij hoge temperatuur, waarna ze nauwkeurig worden bewerkt en gepolijst. Dankzij hun slijtvastheid, corrosiebestendigheid, lage thermische uitzetting en isolerende eigenschappen voldoen ze aan alle strenge eisen van halfgeleiderapparatuur. Keramiek kan langdurig worden gebruikt in diverse halfgeleiderproductieapparatuur onder omstandigheden met hoge temperaturen, vacuüm of corrosieve gassen.
Gemaakt van zeer zuiver aluminiumoxidepoeder, verwerkt door middel van koud isostatisch persen, sinteren bij hoge temperatuur en precisieafwerking, kan het een maattolerantie van ±0,001 mm bereiken, een oppervlaktegladheid van Ra 0,1 en een temperatuurbestendigheid van 1600℃.
-
Keramische plaat halfgeleiderapparatuurdrager
De keramische reserveonderdelen worden gevormd door koud isostatisch persen en gesinterd bij hoge temperatuur, waarna ze nauwkeurig worden bewerkt en gepolijst. Dankzij hun slijtvastheid, corrosiebestendigheid, lage thermische uitzetting en isolerende eigenschappen voldoen ze aan alle strenge eisen van halfgeleiderapparatuur. Keramiek kan langdurig worden gebruikt in diverse halfgeleiderproductieapparatuur onder omstandigheden met hoge temperaturen, vacuüm of corrosieve gassen.
Gemaakt van zeer zuiver aluminiumoxidepoeder, verwerkt door middel van koud isostatisch persen, sinteren bij hoge temperatuur en precisieafwerking, kan het een maattolerantie van ±0,001 mm bereiken, een oppervlaktegladheid van Ra 0,1 en een temperatuurbestendigheid van 1600℃.
-
Reserveonderdelen van keramische halfgeleiderapparatuur
De keramische reserveonderdelen worden gevormd door koud isostatisch persen en gesinterd bij hoge temperatuur, waarna ze nauwkeurig worden bewerkt en gepolijst. Dankzij hun slijtvastheid, corrosiebestendigheid, lage thermische uitzetting en isolerende eigenschappen voldoen ze aan alle strenge eisen van halfgeleiderapparatuur. Keramiek kan langdurig worden gebruikt in diverse halfgeleiderproductieapparatuur onder omstandigheden met hoge temperaturen, vacuüm of corrosieve gassen.
Gemaakt van zeer zuiver aluminiumoxidepoeder, verwerkt door middel van koud isostatisch persen, sinteren bij hoge temperatuur en precisieafwerking, kan het een maattolerantie van ±0,001 mm bereiken, een oppervlaktegladheid van Ra 0,1 en een temperatuurbestendigheid van 1600℃.
-
Hoogzuivere aluminiumoxide keramische afdichtingsring voor het afdichten van hogetemperatuurkamers
De keramische afdichtingsring van St.Cera is ontworpen als alternatief voor polymere O-ringen in extreme omstandigheden waar elastomeren degraderen. Deze stijve afdichtingsring, vervaardigd uit 99,8% zuiver aluminiumoxide (Al₂O₃), wordt gebruikt in statische afdichtingstoepassingen – doorgaans in combinatie met een zachte metalen of grafietpakking – om betrouwbare vacuüm- of gasafdichting te garanderen bij temperaturen tot 800 °C en in agressieve plasma- of chemische omgevingen. Het materiaal biedt geen ontgassing, een hoge druksterkte (onderliggende buigsterkte 361 MPa) en chemische inertheid (bestand tegen halogenen, zuren en basen, met uitzondering van HF). Nauwkeurig geslepen afdichtingsoppervlakken (vlakheid ≤ 5 μm, oppervlakteruwheid Ra ≤ 0,2 μm) zorgen voor een lekvrij contact met de bijbehorende metalen of keramische componenten.
-
Focusring van zeer zuiver aluminiumoxide voor plasma-ets- en CVD-systemen
De focusring van St.Cera is een essentieel onderdeel van de proceskit die wordt gebruikt in plasma-ets-, CVD- en PVD-halfgeleiderapparatuur. De ring is vervaardigd uit 99,8% zuiver aluminiumoxide (Al₂O₃) en omsluit de rand van de wafer om het plasma te concentreren en de hoekverdeling van de ionen te optimaliseren, waardoor de etsuniformiteit over het waferoppervlak wordt verbeterd. Het materiaal biedt een uitzonderlijke plasmabestendigheid, een hoge diëlektrische sterkte (15 × 10⁶ V/m) en thermische stabiliteit tot 1600 °C, wat een langdurige betrouwbaarheid garandeert in agressieve plasmaomgevingen op basis van fluor of chloor. De nauwkeurig geslepen binnen- en buitendiameter en vlakheid (≤ 10 μm) maken een accurate positionering van de waferrand mogelijk, waardoor randdefecten en de vorming van deeltjes worden verminderd.
-
Ring van hoogwaardig aluminiumoxidekeramiek voor CVD/PVD-proceskamers
De keramische ring van St.Cera is speciaal ontworpen voor gebruik in CVD- (Chemical Vapor Deposition) en PVD- (Physical Vapor Deposition) proceskamers. Deze ring, vervaardigd uit 99,8% zuiver aluminiumoxide (Al₂O₃), dient als kamerbekleding, focusring of onderdeel van een proceskit om plasma in te sluiten en de kamerwanden te beschermen tegen erosie. Het materiaal biedt een uitstekende plasmabestendigheid, een hoge diëlektrische sterkte (15 × 10⁶ V/m) en thermische stabiliteit tot 1600 °C, wat een lange levensduur garandeert in agressieve plasmaomgevingen op basis van fluor. Nauwkeurige maattoleranties (±0,05 mm binnen- en buitendiameter) en vlakheid (≤10 μm) maken een consistente positionering van de waferrand mogelijk, waardoor de depositie-uniformiteit verbetert en de deeltjesvorming wordt verminderd.
-
Bernoulli keramische eindeffector — Contactloze waferhandling voor dunne en fragiele wafers
De Bernoulli keramische eindeffector van St.Cera maakt gebruik van aerodynamische lift om wafers te hanteren zonder fysiek contact. De endeffector is vervaardigd uit zeer zuiver 99,8% aluminiumoxide (Al₂O₃) of siliciumcarbide (SiC) en is voorzien van nauwkeurig bewerkte nozzles die gas onder druk uitstoten om een dunne luchtfilm te creëren tussen de endeffector en de wafer. Dit contactloze principe elimineert verontreiniging aan de achterzijde, afbrokkeling van de randen en oppervlakteschade, waardoor de endeffector ideaal is voor dunne (≤100 μm), fragiele of kromgetrokken wafers. Het keramische substraat biedt een hoge buigsterkte (361 MPa voor Al₂O₃; tot 550-600 MPa voor SiC), een laag gewicht en een uitstekende dimensionale stabiliteit, wat zorgt voor een herhaalbare positionering in snelle wafertransportrobots.
-
Hoogzuivere aluminiumoxide keramische onderdelen voor halfgeleider- en industriële toepassingen.
St.Cera produceert nauwkeurig bewerkte keramische onderdelen van aluminiumoxide (Al₂O₃) volgens klantspecificaties. Deze componenten, vervaardigd uit 99,8% zuiver aluminiumoxide, bieden een uitstekende buigsterkte (361 MPa), hoge hardheid (16 GPa) en uitzonderlijke diëlektrische sterkte (15 × 10⁶ V/m). Het materiaal is ontworpen voor halfgeleiderapparatuur, slijtvaste assemblages, elektrische isolatoren en armaturen voor hoge temperaturen. Het materiaal heeft een vrijwel nul waterabsorptie (0%) en een thermische uitzettingscoëfficiënt van 7,2 × 10⁻⁶/℃, wat dimensionale stabiliteit onder extreme omstandigheden garandeert.
-
Poreuze keramische vacuümhouder voor het hanteren van kromgetrokken wafers
De poreuze keramische houder van St.Cera is vervaardigd uit zeer zuiver aluminiumoxide met een uniforme open porositeit van 30-45% en poriegroottes variërend van 10 tot 100 μm. In tegenstelling tot conventionele houders met groeven, zorgt het poreuze oppervlak voor een gelijkmatig verdeeld vacuüm over de gehele achterzijde van de wafer, waardoor kromgetrokken, dunne of losse wafers effectief worden vastgehouden zonder dat de randen loslaten of breken. Het zachte vacuüm (instelbaar via een restrictor) voorkomt bovendien beschadiging van de achterzijde.
-
Poreuze keramische vacuümhouder op aluminiumoxidebasis voor het hanteren van dunne wafers
De poreuze waferhouder van St.Cera, gemaakt van aluminiumoxide, is vervaardigd uit 99,6% hoogzuiver Al₂O₃ met een gecontroleerde open porositeit van 30-45% en een uniforme poriegrootte van 10 tot 50 μm. In tegenstelling tot gegroefde waferhouders zorgt het poreuze oppervlak voor een gelijkmatig verdeeld vacuüm over de gehele achterzijde van de wafer, waardoor randbeschadiging wordt voorkomen en ultradunne (≤100 μm) of kromgetrokken wafers voorzichtig kunnen worden vastgehouden. Het materiaal biedt een buigsterkte van ≥250 MPa en een thermische stabiliteit tot 400 °C in lucht.
-
Aluminiumoxide gasverdeelplaat voor CVD/PVD douchekop
De gasverdeelplaat (douchekop) van St.Cera is nauwkeurig gefreesd uit hoogwaardig 99,8% aluminiumoxidekeramiek. De plaat is voorzien van een reeks microgaatjes (diameters 0,3–1,5 mm) die zorgen voor een uniforme gasstroom over het waferoppervlak tijdens CVD-, PVD- of ALD-processen. De hoge diëlektrische sterkte (>15×10⁶ V/m) en plasmabestendigheid van de plaat maken deze essentieel voor de depositie van dunne halfgeleiderfilms.
-
Keramische steunpen voor halfgeleiderprocesarmaturen
De keramische steunpinnen van St.Cera (ook wel liftpinnen of supportpinnen genoemd) worden in halfgeleiderproceskamers gebruikt om wafers of substraten te verhogen tijdens hantering, verwarming of koeling. Deze pinnen zijn vervaardigd uit 99,8% aluminiumoxide of siliciumnitride en bieden een hoge druksterkte, thermische stabiliteit en chemische bestendigheid. Het halfronde of platte uiteinde voorkomt krassen op de wafer.
