-
Robotarm van zeer zuiver aluminiumoxidekeramiek voor het hanteren van wafers
De robotarm van St.Cera, vervaardigd uit 99,8% zuiver aluminiumoxide (Al₂O₃), combineert een uitzonderlijke buigsterkte (361 MPa), hoge hardheid (16 GPa) en lage dichtheid (3,93 g/cm³), wat resulteert in een lichtgewicht maar toch stijve arm voor het transporteren van halfgeleiderwafers. De thermische uitzettingscoëfficiënt van het materiaal (7,2 × 10⁻⁶/°C) komt nauw overeen met die van silicium, waardoor thermische mismatch tijdens de verwerking tot een minimum wordt beperkt.
-
Bernoulli keramische eindeffector — Contactloze waferhandling voor dunne en fragiele wafers
De Bernoulli keramische eindeffector van St.Cera maakt gebruik van aerodynamische lift om wafers te hanteren zonder fysiek contact. De endeffector is vervaardigd uit zeer zuiver 99,8% aluminiumoxide (Al₂O₃) of siliciumcarbide (SiC) en is voorzien van nauwkeurig bewerkte nozzles die gas onder druk uitstoten om een dunne luchtfilm te creëren tussen de endeffector en de wafer. Dit contactloze principe elimineert verontreiniging aan de achterzijde, afbrokkeling van de randen en oppervlakteschade, waardoor de endeffector ideaal is voor dunne (≤100 μm), fragiele of kromgetrokken wafers. Het keramische substraat biedt een hoge buigsterkte (361 MPa voor Al₂O₃; tot 550-600 MPa voor SiC), een laag gewicht en een uitstekende dimensionale stabiliteit, wat zorgt voor een herhaalbare positionering in snelle wafertransportrobots.
-
Teflon-gecoate keramische eindeffector – Antiaanbaklaag voor het hanteren van gevoelige wafers
De met Teflon (PTFE) gecoate keramische eindeffector van St.Cera combineert een zeer sterk aluminiumoxide substraat met een uniforme, wrijvingsarme PTFE-coating (dikte 15–30 μm). De coating zorgt voor een extreem lage wrijvingscoëfficiënt (≤0,1), uitstekende chemische bestendigheid en antikleefeigenschappen, waardoor waferaanhechting wordt voorkomen en verontreiniging aan de achterzijde wordt geëlimineerd. Het onderliggende keramische substraat (99,8% Al₂O₃) biedt een hoge buigsterkte (361–1000 MPa), slijtvastheid en thermische stabiliteit tot 260 °C (coatinglimiet). Deze eindeffector is ideaal voor het hanteren van delicate, dunne of kleverige wafers (bijvoorbeeld na het aanbrengen van fotolak of chemische processen).
