pagina_banner

Siliciumcarbide (SiC) keramische eindeffector – hoge stijfheid voor het hanteren van wafers bij hoge temperaturen

Siliciumcarbide (SiC) keramische eindeffector – hoge stijfheid voor het hanteren van wafers bij hoge temperaturen

Korte beschrijving:

De SiC-keramische eindeffector van St.Cera is vervaardigd uit zeer zuiver siliciumcarbide (SiC-gehalte 99,72%, vrij Si 0,05%) met behulp van het S1111-batchmateriaal. Het biedt uitzonderlijke mechanische eigenschappen: buigsterkte 449 MPa (gemeten), elasticiteitsmodulus 457 GPa (gemeten) en Vickers-hardheid 25–28 GPa (typisch). De lage dichtheid (3,10–3,15 g/cm³, typisch) zorgt voor een hoge specifieke stijfheid, ideaal voor snelle wafer-transferrobots. Met een thermische geleidbaarheid van 120–150 W/m·K (typisch) en een thermische uitzettingscoëfficiënt van 4,0–4,5 × 10⁻⁶/℃ (typisch) voert deze eindeffector warmte effectief af en behoudt hij zijn vormvastheid tijdens handling bij hoge temperaturen (tot 1600–1700 °C, onbelast). De zwart/grijze kleur en de afwezigheid van waterabsorptie garanderen compatibiliteit met cleanrooms.


Productdetails

Productlabels

De SiC-keramische eindeffector van St.Cera is vervaardigd uit zeer zuiver siliciumcarbide (SiC-gehalte 99,72%, vrij Si 0,05%) met behulp van het S1111-batchmateriaal. Het biedt uitzonderlijke mechanische eigenschappen: buigsterkte 449 MPa (gemeten), elasticiteitsmodulus 457 GPa (gemeten) en Vickers-hardheid 25–28 GPa (typisch). De lage dichtheid (3,10–3,15 g/cm³, typisch) zorgt voor een hoge specifieke stijfheid, ideaal voor snelle wafer-transferrobots. Met een thermische geleidbaarheid van 120–150 W/m·K (typisch) en een thermische uitzettingscoëfficiënt van 4,0–4,5 × 10⁻⁶/℃ (typisch) voert deze eindeffector warmte effectief af en behoudt hij zijn vormvastheid tijdens handling bij hoge temperaturen (tot 1600–1700 °C, onbelast). De zwart/grijze kleur en de afwezigheid van waterabsorptie garanderen compatibiliteit met cleanrooms.

 

Specificaties(gebaseerd op het meegeleverde SiC S1111-testrapport en typische waarden)):

Eigendom Waarde
Materiaal SiC (99,72% SiC, 0,05% vrij Si)
Kleur Zwart/Grijs
Dikte 3,10–3,15 g/cm³
Waterabsorptie 0%
Buigsterkte 449 MPa (gemiddeld)
Breuktaaiheid 3,12 MPa·m¹/² (gemiddeld)
Elasticiteitsmodulus 457 GPa
Vickers-hardheid 25–28 GPa
Thermische geleidbaarheid (25°C) 120–150 W/m·K
CTE (25–1000°C) 4,0–4,5×10⁻⁶/℃
Maximale gebruikstemperatuur (zonder belasting) 1600–1700 °C

 

Toepassingen:

● Waferverwerking bij hoge temperaturen (nabewerking, RTP, epitaxie)

● Plasma-etskamers die een hoge erosiebestendigheid vereisen

● Hogesnelheidstransportrobots (lichtgewicht, hoge stijfheid)

 

Productie:

Sinteren van SiC-poeder → precisie-CNC-slijpen van armprofiel en bevestigingspunten → oppervlaktepolijsten → ultrasoon reinigen. 100% dimensionale inspectie en heliumlektest voor vacuümtoepassingen.

 

Kwaliteitscontrole:

● CMM-inspectie van lengte, breedte en vlakheid

● Buigsterktetest per batch (conform testrapportnorm)

● Visuele inspectie onder de microscoop op oppervlaktedefecten

 

Voordelen ten opzichte van aluminiumoxide of metaal:

● 2× hogere elasticiteitsmodulus (457 versus ~380 GPa voor aluminiumoxide) – minder doorbuiging

● 3x hogere thermische geleidbaarheid – snellere warmteafvoer

● Bestand tegen temperaturen boven 1600 °C, vergeleken met 800 °C voor aluminiumoxide in lucht.

● Lagere dichtheid dan staal – 40% gewichtsvermindering

 

Aanpassing:

Lengtes 150–450 mm, puntvormen (randgreep, Bernoulli, plat), montageflenspatronen volgens OEM-tekening.

*Alle bovenstaande mechanische gegevens zijn afkomstig uit het bijgeleverde testrapport (batch S1111). De thermische en hardheidswaarden zijn typisch voor deze SiC-kwaliteit; neem contact met ons op voor een batchspecifieke certificering.*


  • Vorig:
  • Volgende: