Gecombineerd met de uitgebreide prestatievoordelen van traditionele Al2O3- en BeO-substraatmaterialen, aluminiumnitride (AlN) keramiek, dat een hoge thermische geleidbaarheid heeft (de theoretische thermische geleidbaarheid van monokristallen is 275 W/m▪k), de theoretische thermische geleidbaarheid van polykristal is 70 ~ 210 W/m▪k ), lage diëlektrische constante, thermische uitzettingscoëfficiënt gecombineerd met monokristallijn silicium en goede elektrische isolatie-eigenschappen, is een ideaal materiaal voor circuitsubstraten en verpakkingen in de micro-elektronica-industrie.Het is ook een belangrijk materiaal voor structurele keramische componenten bij hoge temperaturen vanwege de goede mechanische eigenschappen bij hoge temperaturen, thermische eigenschappen en chemische stabiliteit.
De theoretische dichtheid van AlN is 3,26 g/cm3, de MOHS-hardheid is 7-8, de weerstand bij kamertemperatuur is groter dan 1016Ωm en de thermische uitzetting is 3,5×10-6/℃ (kamertemperatuur van 200℃).Zuiver AlN-keramiek is kleurloos en transparant, maar vanwege de onzuiverheden kunnen ze verschillende kleuren hebben, zoals grijs, grijsachtig wit of lichtgeel.
Naast een hoge thermische geleidbaarheid heeft AlN-keramiek ook de volgende voordelen:
1. Goede elektrische isolatie;
2. Soortgelijke thermische uitzettingscoëfficiënt met monokristallijn silicium, superieur aan materialen als Al2O3 en BeO;
3. Hoge mechanische sterkte en vergelijkbare buigsterkte met Al2O3-keramiek;
4. Matige diëlektrische constante en diëlektrisch verlies;
5. Vergeleken met BeO wordt de thermische geleidbaarheid van AlN-keramiek minder beïnvloed door de temperatuur, vooral boven 200 ℃;
6. Weerstand op hoge temperatuur en corrosieweerstand;
7. Niet-giftig;
8. Wordt toegepast op de halfgeleiderindustrie, de chemische metallurgie-industrie en andere industriële velden.
Posttijd: 14 juli 2023